casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBRS16150HMNG
codice articolo del costruttore | MBRS16150HMNG |
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Numero di parte futuro | FT-MBRS16150HMNG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MBRS16150HMNG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 16A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 16A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB (D²PAK) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRS16150HMNG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRS16150HMNG-FT |
SFAF504GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF505G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF505GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF506G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF506GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF507G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF507GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF508GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF801G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF801GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel