casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBRS1100T3G
codice articolo del costruttore | MBRS1100T3G |
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Numero di parte futuro | FT-MBRS1100T3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRS1100T3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRS1100T3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRS1100T3G-FT |
MURA115T3G
ON Semiconductor
MRA4004T3G
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SBRA8160T3G
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MRA4007T3G
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SS16T3G
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MRA4006T3G
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MBRA1H100T3G
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SURA8205T3G
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MRA4005T3G
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AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-2XA
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5SGXMA7N2F45C2
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M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
LFXP3E-5Q208C
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LCMXO2-4000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
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EP1C12F324C8
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