casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRS1035CT MNG
codice articolo del costruttore | MBRS1035CT MNG |
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Numero di parte futuro | FT-MBRS1035CT MNG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRS1035CT MNG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 35V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB (D²PAK) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRS1035CT MNG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRS1035CT MNG-FT |
MBR2035CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2035CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2045CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2050CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2050CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2060CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2090CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2090CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR20L100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR20L120CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LFECP6E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-4FT256C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3PE1500-1FGG484
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3CQC
Microchip Technology
AT6002-2AC
Microchip Technology
5SGSED8N1F45C2L
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC33E-4FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230FF35C3NES
Intel