casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRS10150CT MNG
codice articolo del costruttore | MBRS10150CT MNG |
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Numero di parte futuro | FT-MBRS10150CT MNG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRS10150CT MNG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 980mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 150V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB (D²PAK) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRS10150CT MNG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRS10150CT MNG-FT |
MBR20150CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2035CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2035CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2045CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2050CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2050CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2060CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2090CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2090CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR20L100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
EX128-FTQ64
Microsemi Corporation
EP1K10TC144-2
Intel
XC3S200-4FT256I
Xilinx Inc.
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
5SGXEABN2F45C2N
Intel
XC4010E-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-PQG160M
Microsemi Corporation
5AGXMA3D4F31C5N
Intel
EPF10K50SQC208-3N
Intel