casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBRM360-13
codice articolo del costruttore | MBRM360-13 |
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Numero di parte futuro | FT-MBRM360-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRM360-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 630mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | 130pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Powermite®3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | Powermite 3 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRM360-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRM360-13-FT |
SK36-7-F
Diodes Incorporated
ES3C-13-F
Diodes Incorporated
RS3A-13-F
Diodes Incorporated
RS3D-13-F
Diodes Incorporated
RS3M-13-F
Diodes Incorporated
S3K-13-F
Diodes Incorporated
S8NC-13
Diodes Incorporated
US3M-13
Diodes Incorporated
RS3DB-13-F
Diodes Incorporated
B3100-13
Diodes Incorporated
EPF8820ATC144-3
Intel
XC2V6000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AT40K20-2EQC
Microchip Technology
XC7A75T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F40E2LG
Intel
EP3SL150F780I4
Intel
EP1C4F324I7N
Intel