casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBRM110ET1G
codice articolo del costruttore | MBRM110ET1G |
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Numero di parte futuro | FT-MBRM110ET1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBRM110ET1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 10V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 530mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 10V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-216AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | Powermite |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRM110ET1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRM110ET1G-FT |
MA2J72800L
Panasonic Electronic Components
MA2J7280GL
Panasonic Electronic Components
MA2J72900L
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MA2J7290GL
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MA2J73200L
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MA2J7320GL
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MA27D2700L
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LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel