casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRF10200CT
codice articolo del costruttore | MBRF10200CT |
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Numero di parte futuro | FT-MBRF10200CT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | MBR |
MBRF10200CT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 980mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRF10200CT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRF10200CT-FT |
BAV199/ZLVL
NXP USA Inc.
BAW156/ZLR
NXP USA Inc.
BAW156/ZLVL
NXP USA Inc.
BAT120C,115
Nexperia USA Inc.
BAT160A,115
Nexperia USA Inc.
BAT160S,115
Nexperia USA Inc.
BAT120A,115
Nexperia USA Inc.
BAT120S,115
Nexperia USA Inc.
BAT160C,115
Nexperia USA Inc.
BYV40E-150,115
WeEn Semiconductors
LCMXO1200C-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75T-2FG484I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG256
Microsemi Corporation
A54SX72A-1CQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484C4
Intel
10M40DCF256C7G
Intel
5SGXEB5R2F43I2L
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
EP4SGX230DF29C3NES
Intel