casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBRD835L
codice articolo del costruttore | MBRD835L |
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Numero di parte futuro | FT-MBRD835L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SWITCHMODE™ |
MBRD835L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 510mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1.4mA @ 35V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRD835L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRD835L-FT |
DSK10E-ET1
ON Semiconductor
MR851G
ON Semiconductor
MR851RLG
ON Semiconductor
MUR440G
ON Semiconductor
MUR440RLG
ON Semiconductor
MUR480EG
ON Semiconductor
MUR415RLG
ON Semiconductor
MUR415G
ON Semiconductor
MUR480ERLG
ON Semiconductor
DLE30C
ON Semiconductor
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4CSG484Q
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
Intel
EP4CE115F23C9L
Intel
EP3SE80F1152C3
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C5N
Intel
EP4SGX230FF35C4N
Intel