casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBRD660CTRLG
codice articolo del costruttore | MBRD660CTRLG |
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Numero di parte futuro | FT-MBRD660CTRLG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SWITCHMODE™ |
MBRD660CTRLG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 60V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRD660CTRLG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBRD660CTRLG-FT |
HN2D02FUTW1T1G
ON Semiconductor
HN2D02FUTW1T1
ON Semiconductor
MBD54DWT1
ON Semiconductor
NSR15DW1T1
ON Semiconductor
NSR15DW1T1G
ON Semiconductor
NSR15SDW1T1
ON Semiconductor
NSR15SDW1T1G
ON Semiconductor
NSR15SDW1T2G
ON Semiconductor
NSR15TW1T2
ON Semiconductor
NSR15TW1T2G
ON Semiconductor
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel