casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBR760HC0G
codice articolo del costruttore | MBR760HC0G |
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Numero di parte futuro | FT-MBR760HC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MBR760HC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 7.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 7.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR760HC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR760HC0G-FT |
1SS389,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CES388,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS405,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS307E,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CES520,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CES521,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS389,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS352,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS424(TPL3,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS397TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
APA450-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29I2LN
Intel
5SGXEA4K3F35C4N
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
XCV200-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PLG84M
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C4N
Intel
EP3SE110F780I3N
Intel
HC20K600BC652
Intel