casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBR760 C0G
codice articolo del costruttore | MBR760 C0G |
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Numero di parte futuro | FT-MBR760 C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR760 C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 7.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 7.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR760 C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR760 C0G-FT |
1SS387,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS389,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CES388,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS405,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS307E,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CES520,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CES521,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS389,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS352,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS424(TPL3,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel