casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBR7150 C0G
codice articolo del costruttore | MBR7150 C0G |
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Numero di parte futuro | FT-MBR7150 C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR7150 C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 7.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 7.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR7150 C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR7150 C0G-FT |
CRH01(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS01(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS04(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS08(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS09(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS11(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS387,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS389,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CES388,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS405,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel