casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBR7100HC0G
codice articolo del costruttore | MBR7100HC0G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MBR7100HC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MBR7100HC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 7.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 7.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR7100HC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR7100HC0G-FT |
CRS20I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRH01(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS01(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS04(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS08(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS09(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS11(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS387,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS389,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CES388,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel