casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR6035PT
codice articolo del costruttore | MBR6035PT |
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Numero di parte futuro | FT-MBR6035PT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR6035PT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 60A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 60A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 35V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR6035PT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR6035PT-FT |
RB085B-90TL
Rohm Semiconductor
RB088BM150TL
Rohm Semiconductor
RB095B-30TL
Rohm Semiconductor
RB095B-40TL
Rohm Semiconductor
RB095B-60TL
Rohm Semiconductor
RB095B-90TL
Rohm Semiconductor
RB095BM-40TL
Rohm Semiconductor
RBQ10B65ATL
Rohm Semiconductor
RBQ10BM45ATL
Rohm Semiconductor
RF601B2DTL
Rohm Semiconductor
EP20K160ETC144-1X
Intel
XC6SLX45-L1FGG484C
Xilinx Inc.
AGLN250V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
EPF10K100EFC484-1N
Intel
EPF10K30AFC484-3
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
XC7V585T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-3PQ160
Microsemi Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel
EPF10K50VBC356-4N
Intel