casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBR5100MFST1G
codice articolo del costruttore | MBR5100MFST1G |
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Numero di parte futuro | FT-MBR5100MFST1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR5100MFST1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 980mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR5100MFST1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR5100MFST1G-FT |
MUR105RL
ON Semiconductor
MUR110
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MUR130
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XC3S500E-5PQ208C
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XC2S200-5FG456I
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EPF10K200SFC672-1
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5SGXEB5R2F43C2L
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XC4044XL-1HQ208C
Xilinx Inc.
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LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation