casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR4060PTHC0G
codice articolo del costruttore | MBR4060PTHC0G |
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Numero di parte futuro | FT-MBR4060PTHC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MBR4060PTHC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 40A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 60V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD (TO-3P) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR4060PTHC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR4060PTHC0G-FT |
MBRB20200CT-13
Diodes Incorporated
SBR10100CTB-13
Diodes Incorporated
SBR10200CTB-13-G
Diodes Incorporated
SBR40U300CTB
Diodes Incorporated
SBR20A300CTB
Diodes Incorporated
SBR1040CTB
Diodes Incorporated
SBR30E45CTB
Diodes Incorporated
SBR30A45CTB
Diodes Incorporated
SBR20A200CTB
Diodes Incorporated
SBR10100CTB
Diodes Incorporated
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel