casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR4035PTHC0G
codice articolo del costruttore | MBR4035PTHC0G |
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Numero di parte futuro | FT-MBR4035PTHC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MBR4035PTHC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 40A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 40A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 35V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AD (TO-3P) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR4035PTHC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR4035PTHC0G-FT |
MBRF1060CT-JT
Diodes Incorporated
MBRF20100CT-JT
Diodes Incorporated
MBRF3045CT-LJ
Diodes Incorporated
SBR20A300CTFP
Diodes Incorporated
SBRTF40U100CTFP
Diodes Incorporated
MBRB20200CT-13
Diodes Incorporated
SBR10100CTB-13
Diodes Incorporated
SBR10200CTB-13-G
Diodes Incorporated
SBR40U300CTB
Diodes Incorporated
SBR20A300CTB
Diodes Incorporated
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel