casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR40200CT
codice articolo del costruttore | MBR40200CT |
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Numero di parte futuro | FT-MBR40200CT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR40200CT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR40200CT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR40200CT-FT |
STPS640CB
STMicroelectronics
STPS15L30CB
STMicroelectronics
STPS15L60CB
STMicroelectronics
STPS15H100CB
STMicroelectronics
STTH1002CB
STMicroelectronics
STTH1002CB-TR
STMicroelectronics
STTH602CBY-TR
STMicroelectronics
STPS15H100CBY-TR
STMicroelectronics
STPS15L45CB-TR
STMicroelectronics
STPS15L45CBY-TR
STMicroelectronics
XA6SLX25-3FGG484Q
Xilinx Inc.
M1A3P250-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1
Intel
10CL055YU484I7G
Intel
EP3SL50F484C4L
Intel
5SGXEA7N3F45I3LN
Intel
XA6SLX9-2CSG225Q
Xilinx Inc.
AGL125V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation