casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR40150CT
codice articolo del costruttore | MBR40150CT |
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Numero di parte futuro | FT-MBR40150CT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR40150CT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 150V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR40150CT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR40150CT-FT |
STPSC20H065CT
STMicroelectronics
STPSC8H065CT
STMicroelectronics
STTH10BC065CT
STMicroelectronics
STTH1302CT
STMicroelectronics
STTH16BC065CT
STMicroelectronics
STTH20LCD06CT
STMicroelectronics
STTH30L06CT
STMicroelectronics
STTH802CT
STMicroelectronics
STPS15L45CB
STMicroelectronics
STTH802CB-TR
STMicroelectronics
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel