casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBR3100VRTR-G1
codice articolo del costruttore | MBR3100VRTR-G1 |
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Numero di parte futuro | FT-MBR3100VRTR-G1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR3100VRTR-G1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR3100VRTR-G1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR3100VRTR-G1-FT |
BAT750-7-F
Diodes Incorporated
BAT1000-7-F
Diodes Incorporated
SBR160S23-7
Diodes Incorporated
BAL99-7-F
Diodes Incorporated
BAS21-7-F
Diodes Incorporated
BAS40Q-7-F
Diodes Incorporated
MMBD4448-7-F
Diodes Incorporated
MMBD4448HW-7-F
Diodes Incorporated
ZLLS500TA
Diodes Incorporated
MMBD4148-7-F
Diodes Incorporated
AX250-1FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-25F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K250EFI672-3
Intel
XC5VLX220T-2FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-3FF1927E
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQG176
Microsemi Corporation
5CGXBC9E7F31C8N
Intel
EP2AGX45CU17C5
Intel
EPF8636AQC208-2
Intel