casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBR3100VPTR-G1
codice articolo del costruttore | MBR3100VPTR-G1 |
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Numero di parte futuro | FT-MBR3100VPTR-G1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR3100VPTR-G1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AA, DO-27, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-27 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR3100VPTR-G1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR3100VPTR-G1-FT |
1N5406-B
Diodes Incorporated
1N5407-B
Diodes Incorporated
SB330-T
Diodes Incorporated
SB340-T
Diodes Incorporated
SB350-T
Diodes Incorporated
SB360-T
Diodes Incorporated
SB370-T
Diodes Incorporated
SB380-T
Diodes Incorporated
SB390-T
Diodes Incorporated
SB520-T
Diodes Incorporated
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
AFS600-FGG484K
Microsemi Corporation
A40MX02-2PLG68
Microsemi Corporation
10CL040ZU484I8G
Intel
EPF10K30EFC484-3
Intel
EP4SGX360KF43C3N
Intel
5SGXEA9K2H40C2N
Intel
XC6VLX130T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19I7N
Intel