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codice articolo del costruttore | MBR30200CTE3/TU |
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Numero di parte futuro | FT-MBR30200CTE3/TU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR30200CTE3/TU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR30200CTE3/TU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR30200CTE3/TU-FT |
SBR30A100CT
Diodes Incorporated
MBR20100CT-G1
Diodes Incorporated
MBR20100CTF-G1
Diodes Incorporated
SBR20A45CT
Diodes Incorporated
SBL1645CT
Diodes Incorporated
MBR3045CT-LJ
Diodes Incorporated
V60M120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBR30A45CT
Diodes Incorporated
DST2045C
Littelfuse Inc.
DST30100C
Littelfuse Inc.
A40MX04-VQ80
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FF1517I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
A1020B-1PL68I
Microsemi Corporation
10CX150YF672E6G
Intel
A54SX16A-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6F23C7N
Intel
10AX066K2F35I2SGES
Intel
EP2SGX90FF1508C3N
Intel