casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR30150CTL
codice articolo del costruttore | MBR30150CTL |
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Numero di parte futuro | FT-MBR30150CTL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR30150CTL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 150V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR30150CTL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR30150CTL-FT |
STPS10170CB
STMicroelectronics
STPS1545CB-TR
STMicroelectronics
STPS16170CB
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STPS660CB-TR
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STTH802CB
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SDUR6030PT
SMC Diode Solutions
SDUR3060PT
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30CTQ060-1
SMC Diode Solutions
25CTQ045-1
SMC Diode Solutions
30CTQ035-1
SMC Diode Solutions
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
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EP3SL200H780I3N
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EP2AGX125DF25I3
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5SGXEA9K2H40I3L
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XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
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EP1S30F780C8N
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