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codice articolo del costruttore | MBR30100CTHC0G |
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Numero di parte futuro | FT-MBR30100CTHC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MBR30100CTHC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 940mV @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR30100CTHC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR30100CTHC0G-FT |
GP1601 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1601HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1602 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1602HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1604 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1604HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1605 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1605HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1606 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1606HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30XL-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P030-1QNG48
Microsemi Corporation
A3P1000-1FG256T
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
5SGXMA5K3F35C3N
Intel
10AX016E3F27I2LG
Intel
10AX016E3F27E1SG
Intel
EPF8636AQC160-2
Intel