casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR2X160A120
codice articolo del costruttore | MBR2X160A120 |
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Numero di parte futuro | FT-MBR2X160A120 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR2X160A120 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 160A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 160A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3mA @ 120V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR2X160A120 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR2X160A120-FT |
MBRF40045R
GeneSiC Semiconductor
MBRF40060
GeneSiC Semiconductor
MBRF40060R
GeneSiC Semiconductor
MBRF40080
GeneSiC Semiconductor
MBRF40080R
GeneSiC Semiconductor
MBRF500100
GeneSiC Semiconductor
MBRF500100R
GeneSiC Semiconductor
MBRF500150
GeneSiC Semiconductor
MBRF500150R
GeneSiC Semiconductor
MBRF50020
GeneSiC Semiconductor
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel