casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR2X120A180
codice articolo del costruttore | MBR2X120A180 |
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Numero di parte futuro | FT-MBR2X120A180 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR2X120A180 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 180V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 120A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 120A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3mA @ 180V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR2X120A180 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR2X120A180-FT |
MBRF40035R
GeneSiC Semiconductor
MBRF40040
GeneSiC Semiconductor
MBRF40040R
GeneSiC Semiconductor
MBRF40045
GeneSiC Semiconductor
MBRF40045R
GeneSiC Semiconductor
MBRF40060
GeneSiC Semiconductor
MBRF40060R
GeneSiC Semiconductor
MBRF40080
GeneSiC Semiconductor
MBRF40080R
GeneSiC Semiconductor
MBRF500100
GeneSiC Semiconductor
EX128-FTQ64
Microsemi Corporation
EP1K10TC144-2
Intel
XC3S200-4FT256I
Xilinx Inc.
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
5SGXEABN2F45C2N
Intel
XC4010E-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-PQG160M
Microsemi Corporation
5AGXMA3D4F31C5N
Intel
EPF10K50SQC208-3N
Intel