casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR2X030A100
codice articolo del costruttore | MBR2X030A100 |
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Numero di parte futuro | FT-MBR2X030A100 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR2X030A100 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 60A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR2X030A100 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR2X030A100-FT |
MBRF20035R
GeneSiC Semiconductor
MBRF20040
GeneSiC Semiconductor
MBRF20040R
GeneSiC Semiconductor
MBRF20045
GeneSiC Semiconductor
MBRF20045R
GeneSiC Semiconductor
MBRF20060
GeneSiC Semiconductor
MBRF20060R
GeneSiC Semiconductor
MBRF20080
GeneSiC Semiconductor
MBRF20080R
GeneSiC Semiconductor
MBRF300100
GeneSiC Semiconductor
LCMXO1200C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-PQG208
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-SWG16TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC672-1
Intel
EP4CGX30CF23C7N
Intel
5SGSED8N3F45C3N
Intel
A42MX16-TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-7MG328CAHQ
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP20K200BC356-3
Intel