casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR20200CTF-G1
codice articolo del costruttore | MBR20200CTF-G1 |
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Numero di parte futuro | FT-MBR20200CTF-G1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR20200CTF-G1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR20200CTF-G1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR20200CTF-G1-FT |
SDHP5KS
Semtech Corporation
SDHP7.5K
Semtech Corporation
SET030111
Semtech Corporation
SET030511
Semtech Corporation
SET030603
Semtech Corporation
SET030604
Semtech Corporation
SET030611
Semtech Corporation
SET030612
Semtech Corporation
SET030619
Semtech Corporation
SET030623
Semtech Corporation
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30XL-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P030-1QNG48
Microsemi Corporation
A3P1000-1FG256T
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
5SGXMA5K3F35C3N
Intel
10AX016E3F27I2LG
Intel
10AX016E3F27E1SG
Intel
EPF8636AQC160-2
Intel