casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR20150CTF-G1
codice articolo del costruttore | MBR20150CTF-G1 |
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Numero di parte futuro | FT-MBR20150CTF-G1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR20150CTF-G1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 150V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR20150CTF-G1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR20150CTF-G1-FT |
SDHP15KM
Semtech Corporation
SDHP5KM
Semtech Corporation
SDHP5KS
Semtech Corporation
SDHP7.5K
Semtech Corporation
SET030111
Semtech Corporation
SET030511
Semtech Corporation
SET030603
Semtech Corporation
SET030604
Semtech Corporation
SET030611
Semtech Corporation
SET030612
Semtech Corporation
ICE40UP5K-SG48ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010XL-1TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-3TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-PQ100C
Microsemi Corporation
XC3S400AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
AGLN010V5-UCG36
Microsemi Corporation
EP4CGX75DF27C7
Intel
10M25DCF256C7G
Intel
5SGSMD8K3F40I3N
Intel
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation