casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR20100CS2TR-G1
codice articolo del costruttore | MBR20100CS2TR-G1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MBR20100CS2TR-G1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR20100CS2TR-G1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263-2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR20100CS2TR-G1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR20100CS2TR-G1-FT |
SDHP10KS
Semtech Corporation
SDHP15KM
Semtech Corporation
SDHP5KM
Semtech Corporation
SDHP5KS
Semtech Corporation
SDHP7.5K
Semtech Corporation
SET030111
Semtech Corporation
SET030511
Semtech Corporation
SET030603
Semtech Corporation
SET030604
Semtech Corporation
SET030611
Semtech Corporation
XC4052XL-1HQ304C
Xilinx Inc.
XC4005XL-3PQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX75-N3FGG484C
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-FGG484
Microsemi Corporation
EPF6016AFC256-2
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation