casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBR1660-E3/45
codice articolo del costruttore | MBR1660-E3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-MBR1660-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR1660-E3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 16A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 16A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR1660-E3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR1660-E3/45-FT |
VS-60APU06PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60APU02-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80APS08-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60APF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-STPS30L60CW-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30EPH06P-S1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60APH03-N-S1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60APU04HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60APU06-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60APU06HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel