casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBR15200STR
codice articolo del costruttore | MBR15200STR |
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Numero di parte futuro | FT-MBR15200STR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR15200STR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 400pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277B |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 200°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR15200STR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR15200STR-FT |
STTA506B
STMicroelectronics
STTA506B-TR
STMicroelectronics
STTA512B
STMicroelectronics
STTH10LCD06SB-TR
STMicroelectronics
STTH10R04B
STMicroelectronics
STTH10R04B-TR
STMicroelectronics
STTH312B
STMicroelectronics
STTH312B-TR
STMicroelectronics
STTH3L06B
STMicroelectronics
STTH3L06B-TR
STMicroelectronics
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel