casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR1060CTL
codice articolo del costruttore | MBR1060CTL |
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Numero di parte futuro | FT-MBR1060CTL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR1060CTL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 60V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR1060CTL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR1060CTL-FT |
STPS41L60CT
STMicroelectronics
STPS30M60CT
STMicroelectronics
STPS41H100CT
STMicroelectronics
STPS40SM80CT
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STPS40M60CT
STMicroelectronics
FERD30M45CT
STMicroelectronics
STPSC12H065CT
STMicroelectronics
STTH602CT
STMicroelectronics
STPS30L120CT
STMicroelectronics
STTH10LCD06CT
STMicroelectronics
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel