casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MBR10100
codice articolo del costruttore | MBR10100 |
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Numero di parte futuro | FT-MBR10100 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR10100 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR10100 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR10100-FT |
FERD20H100STS
STMicroelectronics
STPS20SM100ST
STMicroelectronics
STPS30M100ST
STMicroelectronics
FERD20M60ST
STMicroelectronics
FERD30SM100ST
STMicroelectronics
STPS20M100ST
STMicroelectronics
SPV1001T40
STMicroelectronics
SPV1002T40
STMicroelectronics
STPS20M60ST
STMicroelectronics
STPS20SM60ST
STMicroelectronics
XC2S200E-6PQ208I
Xilinx Inc.
A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
AT40K40AL-1EQC
Microchip Technology
EP3C25U256A7N
Intel
5SGSMD4E3H29I3N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC4003E-1PC84C
Xilinx Inc.
LFXP10C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-35EA-6FN484E
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F780C3
Intel