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codice articolo del costruttore | MB9AF314NABGL-GE1 |
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Numero di parte futuro | FT-MB9AF314NABGL-GE1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FM3 MB9A310A |
MB9AF314NABGL-GE1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Processore principale | ARM® Cortex®-M3 |
Dimensione del nucleo | 32-Bit |
Velocità | 40MHz |
Connettività | CSIO, EBI/EMI, I²C, LINbus, UART/USART, USB |
periferiche | DMA, LVD, POR, PWM, WDT |
Numero di I / O | 83 |
Dimensione della memoria del programma | 256KB (256K x 8) |
Programma tipo di memoria | FLASH |
Dimensione EEPROM | - |
Dimensione RAM | 32K x 8 |
Tensione - Alimentazione (Vcc / Vdd) | 2.7V ~ 5.5V |
Convertitori di dati | A/D 16x12b |
Tipo di oscillatore | Internal |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Pacchetto / caso | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 112-LFBGA |
112-PFBGA (10x10) | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB9AF314NABGL-GE1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MB9AF314NABGL-GE1-FT |
MKL02Z8VFG4
NXP USA Inc.
MKL02Z16VFG4
NXP USA Inc.
MKL03Z16VFG4
NXP USA Inc.
MKL02Z16VFG4R
NXP USA Inc.
MK60FN1M0VMD15
NXP USA Inc.
MK64FN1M0VMD12
NXP USA Inc.
MK10DN512ZVMD10
NXP USA Inc.
MK20FX512VMD12
NXP USA Inc.
MK10DN512VMD10
NXP USA Inc.
MK66FN2M0VMD18
NXP USA Inc.
M1A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
A54SX32A-1PQ208
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208I
Microsemi Corporation
AGLN250V2-VQ100
Microsemi Corporation
A1425A-VQG100I
Microsemi Corporation
EP20K600EFI672-3
Intel
5SGXEA4K2F40C3N
Intel
LFE3-17EA-6LMG328I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34E2LG
Intel