casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / MB8S-TP
codice articolo del costruttore | MB8S-TP |
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Numero di parte futuro | FT-MB8S-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MB8S-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 500mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 400mA |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-269AA, 4-BESOP |
Pacchetto dispositivo fornitore | MBS-1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB8S-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MB8S-TP-FT |
TS25P07GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS35P05G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS35P06G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS35P06GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS35P06GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS40P05G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS40P05GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS40P06G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS40P06G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS40P06GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
M1AGL1000V2-FGG256I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
EP4CE55F23C8L
Intel
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XA6SLX4-3CSG225I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EP20K200EBC356-2X
Intel
EP1K10QC208-2N
Intel