casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MB85RS64PNF-G-JNE1
codice articolo del costruttore | MB85RS64PNF-G-JNE1 |
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Numero di parte futuro | FT-MB85RS64PNF-G-JNE1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MB85RS64PNF-G-JNE1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FRAM |
Tecnologia | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Dimensione della memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frequenza di clock | 20MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB85RS64PNF-G-JNE1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MB85RS64PNF-G-JNE1-FT |
6116LA90DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA120DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA150DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA25DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA35DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA45DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA55DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA70DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA150DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA45DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
A3P015-QNG68I
Microsemi Corporation
EP1K30TI144-2
Intel
LCMXO2280C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX45-2CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX24-PQG160I
Microsemi Corporation
10M16DCU324I7G
Intel
EP4CE55F29C8N
Intel