casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MB85RC16PN-G-AMERE1
codice articolo del costruttore | MB85RC16PN-G-AMERE1 |
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Numero di parte futuro | FT-MB85RC16PN-G-AMERE1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MB85RC16PN-G-AMERE1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FRAM |
Tecnologia | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Dimensione della memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frequenza di clock | 1MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 550ns |
Interfaccia di memoria | I²C |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-WFDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SON |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB85RC16PN-G-AMERE1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MB85RC16PN-G-AMERE1-FT |
IDT71V416VS12PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS12PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS12PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS12PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS15PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS15PHG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS15PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS15PHGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA90DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA120DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel