casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MB85R256FPFCN-G-BNDE1
codice articolo del costruttore | MB85R256FPFCN-G-BNDE1 |
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Numero di parte futuro | FT-MB85R256FPFCN-G-BNDE1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MB85R256FPFCN-G-BNDE1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FRAM |
Tecnologia | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 150ns |
Tempo di accesso | 150ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 28-TSOP I |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB85R256FPFCN-G-BNDE1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MB85R256FPFCN-G-BNDE1-FT |
71V124SA10YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA10YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA12TYG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA12TYGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA12TYGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V124SA12YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
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IDT, Integrated Device Technology Inc
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IDT, Integrated Device Technology Inc
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IDT, Integrated Device Technology Inc
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IDT, Integrated Device Technology Inc