casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / MB352-F
codice articolo del costruttore | MB352-F |
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Numero di parte futuro | FT-MB352-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MB352-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 35A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 17.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | QC Terminal |
Pacchetto / caso | 4-Square, MB |
Pacchetto dispositivo fornitore | MB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB352-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MB352-F-FT |
GBU4G
ON Semiconductor
GBU8KS
ON Semiconductor
GBU4A
ON Semiconductor
GBU8D
ON Semiconductor
GBU6K
ON Semiconductor
GBU6B
ON Semiconductor
GBU4J
ON Semiconductor
GBU6D
ON Semiconductor
GBU4D
ON Semiconductor
GBU6M
ON Semiconductor
M1AGL1000V2-FGG256I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
EP4CE55F23C8L
Intel
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XA6SLX4-3CSG225I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EP20K200EBC356-2X
Intel
EP1K10QC208-2N
Intel