codice articolo del costruttore | MB1S |
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Numero di parte futuro | FT-MB1S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MB1S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 500mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 500mA |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-269AA, 4-BESOP |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB1S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MB1S-FT |
GBPC1510T
GeneSiC Semiconductor
GBPC2510T
GeneSiC Semiconductor
GBPC3510T
GeneSiC Semiconductor
GBL005
GeneSiC Semiconductor
GBL02
GeneSiC Semiconductor
GBL06
GeneSiC Semiconductor
DB103G
GeneSiC Semiconductor
BR81
GeneSiC Semiconductor
BR62
GeneSiC Semiconductor
DFB25100
ON Semiconductor
XC3S50-4PQG208I
Xilinx Inc.
XC3S1000-4FGG456I
Xilinx Inc.
XCKU060-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FG256M
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQG208
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29C1N
Intel
XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
LFX200EB-03F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10CX150YF780I6G
Intel
10CL120YF780C8G
Intel