codice articolo del costruttore | MB10S |
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Numero di parte futuro | FT-MB10S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MB10S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 500mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 500mA |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-269AA, 4-BESOP |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB10S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MB10S-FT |
GBPC2510T
GeneSiC Semiconductor
GBPC3510T
GeneSiC Semiconductor
GBL005
GeneSiC Semiconductor
GBL02
GeneSiC Semiconductor
GBL06
GeneSiC Semiconductor
DB103G
GeneSiC Semiconductor
BR81
GeneSiC Semiconductor
BR62
GeneSiC Semiconductor
DFB25100
ON Semiconductor
DFB2080
ON Semiconductor
LCMXO2-4000ZE-2QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
AGL030V5-VQ100
Microsemi Corporation
M1A3P250-1VQ100
Microsemi Corporation
10M16DCF484C7G
Intel
5SGSMD8K3F40I3LN
Intel
5SGXEB6R2F40C3
Intel
LFE2M50E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA7H4F35C5N
Intel
EPF10K30AQI240-3N
Intel