codice articolo del costruttore | MB10S |
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Numero di parte futuro | FT-MB10S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MB10S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 500mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 500mA |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-269AA, 4-BESOP |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB10S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MB10S-FT |
GBPC2510T
GeneSiC Semiconductor
GBPC3510T
GeneSiC Semiconductor
GBL005
GeneSiC Semiconductor
GBL02
GeneSiC Semiconductor
GBL06
GeneSiC Semiconductor
DB103G
GeneSiC Semiconductor
BR81
GeneSiC Semiconductor
BR62
GeneSiC Semiconductor
DFB25100
ON Semiconductor
DFB2080
ON Semiconductor
A54SX32A-TQ144I
Microsemi Corporation
XC2V250-4FGG256C
Xilinx Inc.
LFE2-12E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AX250-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-6QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS100F484I7
Intel
5SGXEABK3H40C4N
Intel
XCV150-5BG256C
Xilinx Inc.
LFEC3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation