casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / MB108-BP
codice articolo del costruttore | MB108-BP |
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Numero di parte futuro | FT-MB108-BP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MB108-BP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-Square, BR-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | BR-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB108-BP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MB108-BP-FT |
W06M-BP
Micro Commercial Co
W04M-BP
Micro Commercial Co
W02M-BP
Micro Commercial Co
W01M-BP
Micro Commercial Co
W005M-BP
Micro Commercial Co
SDB155-TP
Micro Commercial Co
SDB154-TP
Micro Commercial Co
SDB107-TP
Micro Commercial Co
SDB105-TP
Micro Commercial Co
SDB104-TP
Micro Commercial Co
LCMXO2-2000ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG176
Microsemi Corporation
A42MX09-FVQG100
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I3N
Intel
5SGXMB5R3F40I4N
Intel
EP20K100EFI144-2X
Intel
XC5VLX50-2FFG676C
Xilinx Inc.
AGL030V5-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE2-6E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation