casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / MASMLJ17AE3
codice articolo del costruttore | MASMLJ17AE3 |
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Numero di parte futuro | FT-MASMLJ17AE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500 |
MASMLJ17AE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 17V |
Voltage - Breakdown (Min) | 18.9V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 27.6V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 106.6A |
Potenza - Peak Pulse | 3000W (3kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MASMLJ17AE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MASMLJ17AE3-FT |
MASMCJLCE150AE3
Microsemi Corporation
MASMCJLCE15A
Microsemi Corporation
MASMCJLCE160A
Microsemi Corporation
MASMCJLCE160AE3
Microsemi Corporation
MASMCJLCE16A
Microsemi Corporation
MASMCJLCE16AE3
Microsemi Corporation
MASMCJLCE170A
Microsemi Corporation
MASMCJLCE170AE3
Microsemi Corporation
MASMCJLCE17A
Microsemi Corporation
MASMCJLCE17AE3
Microsemi Corporation
XC6SLX45-N3FGG676I
Xilinx Inc.
XCKU035-1FFVA1156C
Xilinx Inc.
U1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
10M50DAF256C6GES
Intel
10AX048E3F29E2LG
Intel
EP3C25E144C7
Intel
EP3C5E144C7
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19C6N
Intel