casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / MASMLJ100AE3
codice articolo del costruttore | MASMLJ100AE3 |
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Numero di parte futuro | FT-MASMLJ100AE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500 |
MASMLJ100AE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 100V |
Voltage - Breakdown (Min) | 111V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 162V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 18.6A |
Potenza - Peak Pulse | 3000W (3kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MASMLJ100AE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MASMLJ100AE3-FT |
MASMCJ7.0A
Microsemi Corporation
MASMCJ7.0AE3
Microsemi Corporation
MASMCJ7.0CA
Microsemi Corporation
MASMCJ7.0CAE3
Microsemi Corporation
MASMCJ7.5A
Microsemi Corporation
MASMCJ7.5AE3
Microsemi Corporation
MASMCJ7.5CA
Microsemi Corporation
MASMCJ7.5CAE3
Microsemi Corporation
MASMCJ78A
Microsemi Corporation
MASMCJ78AE3
Microsemi Corporation
XC4005XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
XC3SD1800A-4FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS1500-1FG484I
Microsemi Corporation
APA150-FG256A
Microsemi Corporation
5CEBA7F27C8N
Intel
5SGXEA7N3F45C2L
Intel
XC7V2000T-G2FHG1761E
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144
Microsemi Corporation
A42MX09-3PQ100I
Microsemi Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel