casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / MASMBJ170AE3
codice articolo del costruttore | MASMBJ170AE3 |
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Numero di parte futuro | FT-MASMBJ170AE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500 |
MASMBJ170AE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 170V |
Voltage - Breakdown (Min) | 189V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 275V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 2.2A |
Potenza - Peak Pulse | 600W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMBJ (DO-214AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MASMBJ170AE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MASMBJ170AE3-FT |
MSMBJ30A
Microsemi Corporation
MSMBJ30AE3
Microsemi Corporation
MSMBJ33A
Microsemi Corporation
MSMBJ33AE3
Microsemi Corporation
MSMBJ33CA
Microsemi Corporation
MSMBJ33CAE3
Microsemi Corporation
MSMBJ36A
Microsemi Corporation
MSMBJ36AE3
Microsemi Corporation
MSMBJ36CA
Microsemi Corporation
MSMBJ36CAE3
Microsemi Corporation
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XA6SLX45T-2FGG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BGG456
Microsemi Corporation
A42MX24-FPQ208
Microsemi Corporation
5AGZME3E2H29C3N
Intel
10M08DFV81C8G
Intel
XC5VLX110T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K160T-L2FBG484I
Xilinx Inc.
LFXP2-8E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50E-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation