casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / MAPR-000912-500S00
codice articolo del costruttore | MAPR-000912-500S00 |
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Numero di parte futuro | FT-MAPR-000912-500S00 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MAPR-000912-500S00 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Frequenza - Transizione | - |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | - |
Guadagno | 9.44dB ~ 9.77dB |
Potenza - Max | 500W |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 52.5A |
temperatura di esercizio | 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MAPR-000912-500S00 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MAPR-000912-500S00-FT |
AT-41532-TR1
Broadcom Limited
AT-41532-TR1G
Broadcom Limited
AT-41532-TR2G
Broadcom Limited
SD1477
STMicroelectronics
SD1488
STMicroelectronics
SD1274-01
STMicroelectronics
SD1275-01
STMicroelectronics
SD1446
STMicroelectronics
START499D
STMicroelectronics
SD1728
STMicroelectronics
XC3S500E-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A35T-1CSG325C
Xilinx Inc.
EP20K600EFC672-2N
Intel
EPF10K200SFC484-2
Intel
5SGXEA7N3F40C2N
Intel
EP4SE360H29C4
Intel
5SGXEA5N2F45C1N
Intel
XC7VX550T-L2FFG1158E
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-2CSG324C
Xilinx Inc.
LAE3-17EA-6FN484E
Lattice Semiconductor Corporation