casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / MAP5KE33AE3
codice articolo del costruttore | MAP5KE33AE3 |
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Numero di parte futuro | FT-MAP5KE33AE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500 |
MAP5KE33AE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 33V |
Voltage - Breakdown (Min) | 36.7V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 53.3V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 9.4A |
Potenza - Peak Pulse | 500W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MAP5KE33AE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MAP5KE33AE3-FT |
MAP4KE7.5CA
Microsemi Corporation
MAP4KE7.5CAE3
Microsemi Corporation
MAP4KE8.2A
Microsemi Corporation
MAP4KE8.2AE3
Microsemi Corporation
MAP4KE8.2CA
Microsemi Corporation
MAP4KE8.2CAE3
Microsemi Corporation
MAP4KE9.1A
Microsemi Corporation
MAP4KE9.1AE3
Microsemi Corporation
MAP4KE9.1CA
Microsemi Corporation
MAP4KE9.1CAE3
Microsemi Corporation
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel