casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / MAP4KE100AE3
codice articolo del costruttore | MAP4KE100AE3 |
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Numero di parte futuro | FT-MAP4KE100AE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500 |
MAP4KE100AE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 85.5V |
Voltage - Breakdown (Min) | 95V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 137V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 2.9A |
Potenza - Peak Pulse | 400W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MAP4KE100AE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MAP4KE100AE3-FT |
MPLAD6.5KP13CAE3
Microsemi Corporation
MPLAD6.5KP14A
Microsemi Corporation
MPLAD6.5KP14AE3
Microsemi Corporation
MPLAD6.5KP14CAE3
Microsemi Corporation
MPLAD6.5KP150A
Microsemi Corporation
MPLAD6.5KP150AE3
Microsemi Corporation
MPLAD6.5KP150CA
Microsemi Corporation
MPLAD6.5KP150CAE3
Microsemi Corporation
MPLAD6.5KP160A
Microsemi Corporation
MPLAD6.5KP160AE3
Microsemi Corporation
XCS10-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-1FG484M
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23C7
Intel
5SGXEA5K1F40C1N
Intel
5AGZME7H3F35I4N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC3030-100PC84C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S4F45E3LG
Intel
EPF81500AQC240-3N
Intel