casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - RF / MA4P7102F-1072T
codice articolo del costruttore | MA4P7102F-1072T |
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Numero di parte futuro | FT-MA4P7102F-1072T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MA4P7102F-1072T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | PIN - Single |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 200V |
Corrente - max | - |
Capacità @ Vr, F | - |
Resistenza @ Se, F | 500 mOhm @ 100mA, 100MHz |
Dissipazione di potenza (max) | 11.5W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Pacchetto / caso | 2-SMD |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA4P7102F-1072T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MA4P7102F-1072T-FT |
1PS66SB17,115
Nexperia USA Inc.
BAP55LX,315
NXP USA Inc.
BAP1321LX,315
NXP USA Inc.
BAP51L,315
NXP USA Inc.
BAP55L,315
NXP USA Inc.
BA891,115
NXP USA Inc.
BAP64-02,115
NXP USA Inc.
1PS79SB17,115
Nexperia USA Inc.
BAP51-02,115
NXP USA Inc.
BAP65-02,115
NXP USA Inc.
XCS20XL-4TQG144I
Xilinx Inc.
A42MX09-VQG100A
Microsemi Corporation
EP3C10F256I7N
Intel
10M25DCF256I6G
Intel
XC4008E-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2VP40-5FFG1148C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ100
Microsemi Corporation
LFEC1E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VQC240-1N
Intel